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批发OEMC YGW25N120 YGW25N120F1 25A 1200V MOS场效应管功率三极管一站式bom
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重要属性
行业属性
型号
YGW25N120F1
种类
IGBT晶体管
品牌
original
封装类型
Through Hole
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3P
D/C
原
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
其他
可参考资料
其他
品名
IGBT
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
原厂标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
原厂标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
原厂标准
电流 - 集电极截止（最大值）
原厂标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
原厂标准
功率 - 最大值
原厂标准
频率 - 跃迁
原厂标准
操作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
原厂标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
原厂标准
FET 类型
原厂标准
FET 功能
原厂标准
漏源电压（Vdss）
原厂标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
原厂标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
原厂标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
原厂标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
原厂标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
原厂标准
响应频率(Hz)
原厂标准
额定电流
原厂标准
噪声系数
原厂标准
功率-输出
原厂标准
电压-额定
原厂标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
原厂标准
Vgs（最大值）
原厂标准
IGBT 类型
原厂标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
原厂标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
原厂标准
输入
原厂标准
NTC 热敏电阻
原厂标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
原厂标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
原厂标准
漏极电流（Id） - 最大值
原厂标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
原厂标准
电阻 - RDS（开）
-
电压
原厂标准
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
原厂标准
应用
-
最大门/发射极电压:
原厂标准
尺寸:
原厂标准
包装和发货信息
Packaging Details
TUBE/REEL/TAPE/TRAY+Bubble Pack
Port
HK/SZ
供应能力
供应能力
78000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100 | 101 - 500 | 501 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 7 | 15 | 待定 |
