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批发OEMC MUR80FU40DCT MUR80FU40 80A 400V TO-3P功率三极管一站式bom

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重要属性

行业属性

型号
MUR80FU40DCT
种类
IGBT晶体管
品牌
original
封装类型
Through Hole

其他属性

原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3P
D/C
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
其他
可参考资料
其他
品名
IGBT
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
原厂标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
原厂标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
原厂标准
电流 - 集电极截止(最大值)
原厂标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
原厂标准
功率 - 最大值
原厂标准
频率 - 跃迁
原厂标准
操作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
原厂标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
原厂标准
FET 类型
原厂标准
FET 功能
原厂标准
漏源电压(Vdss)
原厂标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
原厂标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
原厂标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
原厂标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
原厂标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
原厂标准
响应频率(Hz)
原厂标准
额定电流
原厂标准
噪声系数
原厂标准
功率-输出
原厂标准
电压-额定
原厂标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
原厂标准
Vgs(最大值)
原厂标准
IGBT 类型
原厂标准
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
原厂标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
原厂标准
输入
原厂标准
NTC 热敏电阻
原厂标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
原厂标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
原厂标准
漏极电流(Id) - 最大值
原厂标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
原厂标准
电阻 - RDS(开)
-
电压
原厂标准
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
原厂标准
应用
-
最大门/发射极电压:
原厂标准
尺寸:
原厂标准

包装和发货信息

Packaging Details
TUBE/REEL/TAPE/TRAY+Bubble Pack
Port
HK/SZ

供应能力

供应能力
78000 件 per Day

交货时间

供应商的产品说明

10 - 49 pieces
¥4.11
50 - 99 pieces
¥3.83
100 - 499 pieces
¥3.62
>= 500 pieces
¥3.48

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