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批发LSIC1MO120G0040 1200V 50A晶体管，用于mosTraction逆变器功率放大器bom
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
LSIC1MO120G0040
种类
RF晶体管
品牌
original
其他属性
安装类型
标准
描述
mos晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
标准
类型
MOSFET
工作环境温度
标准
D/C
21 +;22 +
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
MOSFET晶体管，Orignal品牌
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
通用
晶体管类型
N沟道JFET
包装
TO247-4L
付款方式
TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ 托管
保修
180天
填料
新 * 原包装
零件号
LSIC1MO120G0040
产品关键字
mos晶体管
类别
分立半导体产品晶体管-fet
技术
MOSFET金属氧化物
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | 10001 - 25000 | 25001 - 50000 | > 50000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 4 | 5 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 10000
外包裝定制
最小起订量: 10000
图案定制
最小起订量: 10000
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