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晶体管13003原始功率E13003开关D13003集成电路Mosfet Mje13003晶体管13003
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重要属性
行业属性
型号
transistor 13003
种类
双极晶体管-双极结型晶体管 (BJT)
品牌
Original Manufacturer
封装类型
DIP
其他属性
描述
晶体管13003
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220
D/C
22 +
应用
晶体管/All
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, 照片
品名
2SB688
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）
400V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
3V @ 500mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
8 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
1.4W
频率 - 跃迁
10MHz
操作温度
-40-125 ℃
安装方式
通孔mm，通孔安装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
115mA (Ta) 更多新品资讯
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.5Ohm @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250 µ a
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.34nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
50pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V, 10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
H20R1203
配置
三相
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
NPN晶体管
包装和发货信息
Packaging Details
卷轴或管
Port
ShenZhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | 5001 - 10000 | 10001 - 20000 | > 20000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 7 | 待定 |
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