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RGW40TK65DGVC11 IGBT TRNCH场650V 27A至3pfm TO-3PFM

暂无评价

重要属性

行业属性

型号
RGW40TK65DGVC11
种类
IGBT晶体管
品牌
original
封装类型
TO-3PFM, SC-93-3

其他属性

安装类型
Through Hole
描述
IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
原产地
Ascension Island
封装/外壳
TO-3PFM
工作环境温度
-40~170℃
D/C
NEW
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
IGBT
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
N/A
电压 - 集射极击穿(最大值)
N/A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
N/A
电流 - 集电极截止(最大值)
N/A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
操作温度
-55~170℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
N/A
电阻器 - 发射极基底(R2)
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
逻辑电平栅极,月 12v 驱动器
漏源电压(Vdss)
650 V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
27 A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
N/A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
N/A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
N/A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
N/A
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
61 W
电压-额定
N/A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
80 A
Vgs(最大值)
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
全桥逆变器
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
N/A
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
N/A
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
N/A
漏极电流(Id) - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
N/A
电阻 - RDS(开)
N/A
电压
N/A
电压-输出
N/A
电压 - 偏移(Vt)
N/A
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
N/A
电流 - 谷值(Iv)
N/A
电流 - 峰值
N/A
应用
N/A
晶体管类型
N/A

包装和发货信息

销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
22X22X5 厘米
单品毛重:
1.000 公斤

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样品价格:
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1000 - 9999 cubic centimeters
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