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原始ic芯片MOSFET晶体管至-220 IRF740
(1 review)
重要属性
行业属性
型号
IRF740
种类
MOSFET Transistors
品牌
Original
封装类型
-
其他属性
安装类型
DIP
描述
MOSFET Transistors
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220
应用
-
品名
MOSFET Transistors
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
Package / Case
TO-220
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Condition
Original 100%
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X10 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | 11 - 100 | 101 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 2 | 3 | 待定 |
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