描述
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
40 A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
2.5V @ 15V, 20A
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
60A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.5V, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
9.9mOhm @ 12A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.7V @ 250uA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
14.5 nC @ 10 V
Shipment
FedEx/DHL/UPS/EMS/Aramex/Post Air Mail
Lead Time
1-3 working days