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原装品牌FQAF13N80 FQAF13 MOSFET 800V 8A至3pf集成电路芯片
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重要属性
行业属性
型号
FQAF13N80
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
-
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
-
描述
-
原产地
original
封装/外壳
-
D/C
new
应用
-
操作温度
-
电阻器 - 基底（R1）
-
漏源电压（Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A(Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
750 mOhm @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
88 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3500 pF @ 25 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±30V
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| 数量 (pieces) | 1 - 10 | > 10 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
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