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hyst bom list service ic chip TCMT1100 Transistor output photocoupler
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
TCMT1100
种类
双极晶体管
品牌
hyst
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Surface Mount
描述
standard
原产地
United States
封装/外壳
SC-75 SOT-416
类型
Transistor
工作环境温度
standard
系列
--
D/C
2249
应用
standard
供应类型
ODM, Other
相似属性可替代料号
--
可参考资料
Other
品名
standard
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
300mV 250uA 5mA
功率 - 最大值
150 mW
频率 - 跃迁
250 MHz
操作温度
-55C +150C
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
Transistor
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
standard
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
standard
IGBT 类型
standard
配置
standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
80 10mA 5V
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
standard
漏极电流（Id） - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
standard
电阻 - RDS（开）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移（Vt）
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 谷值（Iv）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
Transistors
晶体管类型
NPN
Supplier
Electronic Components
Lead Free Status
RoHS Compliant
Condition
Original manufacturer
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Service
One-stop Service
Warranty
90 days
Port
shenzhen
MOQ
1 Pcs
Service Time
24 hours
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
XX 厘米
单品毛重：
公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
