描述
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm宽度)
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
应用
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11mOhm @ 12A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
39 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2600 pF @ 15 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
应用
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
包装
磁带和卷轴 (TR),切割磁带 (CT),数字卷轴
驱动电压 (最大Rds On,最小Rds On)
6V, 20V
包装/案例
8-SOIC (0.154 ",3.90mm宽)