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ZHT新型mos STP75NF75 TO-220 n沟道MOSFET STP75NF75 75N75晶体管

暂无评价

重要属性

行业属性

型号
STP75NF75
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
TO-220

其他属性

原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220
应用
ORIGINAL
品名
STP75NF75
电压 - 集射极击穿(最大值)
standard
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
standard
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
-40℃-85℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
standard
电阻器 - 发射极基底(R2)
standard
FET 类型
N-channel
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11mΩ@10V,40A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V@250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
standard
额定电流
standard
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
standard
Vgs(最大值)
standard
配置
ORIGINAL
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
standard
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
standard
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
standard
漏极电流(Id) - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
standard
电阻 - RDS(开)
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移(Vt)
standard
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
standard
电流 - 谷值(Iv)
standard
电流 - 峰值
standard
应用
ORIGINAL
Delivery Time
1-3 Working Days
Quality
Original Goods
BOM list service
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Payment ways
T/T/Western Union/MoneyGram/L/C/D/P/D/A
Shipping by
DHL\UPS\FEDEX\EMS
Supplier
Shenzhen Z.H.T Technology Co., Ltd.

包装和发货信息

Packaging Details
全新原装包装,工厂密封包装,可分为管式,托盘式,带鼓式,箱式,散装包装,袋式包装。详情请联系我们。
Port
Shenzhen/Hongkong

供应能力

供应能力
50000 件 per Day

交货时间

供应商的产品说明

1 - 1 pieces
¥1.40
>= 2 pieces
¥0.6959

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