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Yarun集成电路IC肖特基MBR30200 30200至-220 MBR30200CT至-247
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重要属性
行业属性
型号
30200 TO-247
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YR
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Null
描述
mosfet
原产地
Jiangsu, China
封装/外壳
To220
类型
mosfet
工作环境温度
Null
系列
mosfet
D/C
Null
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其它, Other
相似属性可替代料号
MURB2020CT TO-263
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
mosfet
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Null
电流 - 集电极截止（最大值）
100A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Null
功率 - 最大值
6W
频率 - 跃迁
Null
操作温度
-55至150 ℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
Null
电阻器 - 发射极基底（R2）
Null
FET 类型
Null
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
Null
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Null
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Null
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Null
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Null
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Null
响应频率(Hz)
Null
额定电流
Null
噪声系数
Null
功率-输出
Null
电压-额定
Null
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Null
Vgs（最大值）
Null
IGBT 类型
Null
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Null
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Null
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Null
漏极电流（Id） - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Null
电阻 - RDS（开）
Null
电压
Null
电压-输出
Null
电压 - 偏移（Vt）
Null
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Null
电流 - 谷值（Iv）
Null
电流 - 峰值
2A
应用
Null
晶体管类型
Irf640n TO220
连接至壳体 (DC)
1.3 ℃/W
Rth(j-a)
60 ℃/W
峰值栅极电压
5V
VDRM/VRRM
600V
IT(AV)
8A
IT(RMS)
12A
ITSM
100-110A
装运
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Dit/dt
50A/us
峰值栅极电流
2A
交货时间
| 数量 (boxes) | 1 - 1 | 2 - 10 | 11 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 14 | 22 | 待定 |
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