云诺新原装进口FQPF12N60C 12N60 mos场效应管600V12A NPN晶体管
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重要属性
行业属性
型号
FQPF12N60C 12N60
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
F
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
通过
描述
标准
原产地
China
封装/外壳
TO-220-3
D/C
20 +
供应类型
其他
可参考资料
其他
品名
MOSFET n-ch 600v 12A TO-220F
操作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N通道
FET 功能
超级连接
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
650mOhm 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V 250UA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
63nC 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2290pF 25V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
配置
单排
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | > 10 |
| 美国东部时间（天） | 6 | 待定 |
供应商的产品说明
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