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YR740/IRF740/10N40 YR730 6N40集成电路ic芯片2022 NPN晶体管MOS二极管原装电子to 220 740B IRF740B
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重要属性
行业属性
型号
mosfet
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
standard
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Null, Through Hole
描述
standard
原产地
China
封装/外壳
To220
类型
mosfet, MOSFET
工作环境温度
standard
系列
transistor
D/C
NEW
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, Other
相似属性可替代料号
mosfet
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
mosfet
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Null
电压 - 集射极击穿（最大值）
Null
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Null
电流 - 集电极截止（最大值）
Null
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Null
功率 - 最大值
Null
频率 - 跃迁
Null
电阻器 - 基底（R1）
Null
电阻器 - 发射极基底（R2）
Null
FET 类型
Null
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
Null
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Null
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Null
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Null
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Null
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Null
响应频率(Hz)
Null
额定电流
Null
噪声系数
Null
功率-输出
Null
电压-额定
Null
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Null
Vgs（最大值）
Null
IGBT 类型
Null
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Null
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Null
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Null
漏极电流（Id） - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Null
电阻 - RDS（开）
Null
电压
Null
电压-输出
Null
电压 - 偏移（Vt）
Null
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Null
电流 - 谷值（Iv）
Null
电流 - 峰值
Null
应用
Null
晶体管类型
n channel
Name
mosfet
Product Name
Step-Down DC/DC Converter
MOQ
100pcs
Usage
Car charger
Package
To-220
Lead time
3-15 days
Place of Origin:
Jiangsu, China (Mainland)
Payment
PayPal ,Visa,West,Union,T/T
Shipping
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Condition
in stock
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
11X11X11 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
定制
外包裝定制
最小起订量: 10000000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
