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晶体管13001 S8D 13001 s电子晶体管13001功率晶体管MJE13001电路NPN 13001至-92原始13001
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
13001
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
三极管晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
D/C
19 + 20 +
应用
组件
供应类型
ODM, 原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
晶体管13001
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N通道
FET 功能
不适用
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 62A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3247pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
-
配置
不适用
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
提前期
1-3个工作日
保修
180天
单价
最新单位
包装和发货信息
Packaging Details
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供应能力
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交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
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