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TPN1R603PL L1Q 30V 80A TSON Advance MOSFET二极管三极管晶体管
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重要属性
行业属性
型号
TPN1R603PL L1Q
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YMX
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
standard
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
1
类型
standard
工作环境温度
standard
系列
standard
D/C
standard
应用
传声器
供应类型
原厂原装, 代理, 零售商, Other
相似属性可替代料号
standard
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
MOS
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1
电压 - 集射极击穿（最大值）
1
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1
电流 - 集电极截止（最大值）
1
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
1
功率 - 最大值
1
频率 - 跃迁
1
操作温度
standard
安装方式
standard
电阻器 - 基底（R1）
1
电阻器 - 发射极基底（R2）
1
FET 类型
1
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
1
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1
响应频率(Hz)
1
额定电流
1
噪声系数
1
功率-输出
1
电压-额定
1
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1
Vgs（最大值）
1
IGBT 类型
1
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1
输入
1
NTC 热敏电阻
1
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
1
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1
漏极电流（Id） - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1
电阻 - RDS（开）
1
电压
1
电压-输出
1
电压 - 偏移（Vt）
1
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
1
电流 - 谷值（Iv）
1
电流 - 峰值
1
应用
1
晶体管类型
standard
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.1X0.1X0.1 厘米
单品毛重：
0.001 公斤
交货时间
| 数量 (packs) | 1 - 100 | 101 - 10000 | 10001 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 7 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
图案定制
最小起订量: 100000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
99999 - 599999 packs
¥3.37
600000 - 8999999 packs
¥3.27
9000000 - 10999999 packs
¥3.19
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