TK25S06N1L LQ MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
TK25S06N1L LQ
种类
RF晶体管
品牌
hyst
封装类型
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其他属性
安装类型
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描述
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原产地
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封装/外壳
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类型
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工作环境温度
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系列
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D/C
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应用
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供应类型
原厂原装, 代理
品名
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电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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电流 - 集电极截止（最大值）
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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功率 - 最大值
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频率 - 跃迁
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操作温度
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安装方式
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电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 功能
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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响应频率(Hz)
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额定电流
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噪声系数
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功率-输出
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电压-额定
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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Vgs（最大值）
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IGBT 类型
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配置
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
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NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
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漏极电流（Id） - 最大值
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
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电压
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电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
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电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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电流 - 谷值（Iv）
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电流 - 峰值
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应用
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晶体管类型
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Condition
Original new 100%
Lead Free Status
RoHS Status
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SF
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Service
One-stop Service
Location
Shenzhen
Service Time
24 hours
MOQ
1 Pcs
The price of some parts is volatile
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包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
XX 厘米
单品毛重：
公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
定制
Customized packaging
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
