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TK100E08N1 S1X S 80V 100A至220 MOSFET二极管三极管晶体管

暂无评价

重要属性

行业属性

型号
TK100E08N1 S1X S
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YMX
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
standard
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
1
类型
standard
工作环境温度
standard
系列
standard
D/C
standard
应用
传声器
供应类型
原厂原装, 代理, 零售商, Other
相似属性可替代料号
standard
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
MOS
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
1
电压 - 集射极击穿(最大值)
1
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
1
电流 - 集电极截止(最大值)
1
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
1
功率 - 最大值
1
频率 - 跃迁
1
操作温度
standard
安装方式
standard
电阻器 - 基底(R1)
1
电阻器 - 发射极基底(R2)
1
FET 类型
1
FET 功能
碳化硅
漏源电压(Vdss)
1
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
1
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1
响应频率(Hz)
1
额定电流
1
噪声系数
1
功率-输出
1
电压-额定
1
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1
Vgs(最大值)
1
IGBT 类型
1
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
1
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
1
输入
1
NTC 热敏电阻
1
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
1
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
1
漏极电流(Id) - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
1
电阻 - RDS(开)
1
电压
1
电压-输出
1
电压 - 偏移(Vt)
1
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
1
电流 - 谷值(Iv)
1
电流 - 峰值
1
应用
1
晶体管类型
standard

包装和发货信息

销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
0.1X0.1X0.1 厘米
单品毛重:
0.001 公斤

交货时间

数量 (packs)1 - 100101 - 1000010001 - 100000 > 100000
美国东部时间(天)357待定

定制

LOGO定制
最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
图案定制
最小起订量: 100000

供应商的产品说明

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€0.4311
600000 - 8999999 packs
€0.4172
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€0.4079
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