THJ IGBT功率晶体管40n120 Fgl40n120和Fgl40n120 40A 1200V FGL40N150D TGL40N120FD
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重要属性
行业属性
型号
New and Orginal Transistor
种类
晶体管
品牌
Original
封装类型
原件
其他属性
安装类型
-
描述
原件
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
类型
新的和原始的晶体管
工作环境温度
-
系列
原件
D/C
原件
应用
集成电路
供应类型
零售商
品名
-，原件
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运者
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
最小起订量
1 Pcs
交货时间
1-3天
服务
24小时在线
质量
高品质
保修
1年
产品名称
原始晶体管
包装和发货信息
Port
SHENZHEN, HONGKONG
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 10000
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