所有类目
精选特集
Trade Assurance
买家中心
帮助中心
获取应用
成为供应商
THJ厂家直销20N60C3原装晶体管Mosfet 20N60
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
20N60
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
-
原产地
Original
类型
-
工作环境温度
-
D/C
20 +
应用
不适用
供应类型
原厂原装, 其他
可参考资料
数据表
品名
/
电压 - 集射极击穿（最大值）
/
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
操作温度
/
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
电子元件
公司
THJ科技有限公司
条件
全新和原始，原始工厂包装，原始盒子。
日期代码
21 +，22 +，23 +，最新
装运
DHL，FedEx，UPS，EMS，中国邮政，Aramex等.
付款
贸易保证订单，T/T，PayPal (信用卡)，西联汇款
应用程序
电子产品，PCB BOM全方位服务
保修
365天
包装和发货信息
Port
SHENZHEN, HONG KONG
供应能力
供应能力
100000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | > 10 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 10000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
