悬停鼠标可放大图片
技术高压功率MOSFET 600V高压mosfet SRC60R140B
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
SRC60R140B
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
D/C
22+
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
N-Channel
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 62A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3247pF @ 25V
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
IGBT 类型
Standard
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
包装和发货信息
Packaging Details
Original Packing
Port
SZ
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 待定 |
