供应新的原装逆变器MOSFET 20a500v to-220f封装晶体管kia20n50h
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重要属性
行业属性
型号
KIA20N50HH
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
KIA
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Original manufacturer
封装/外壳
TO-220F-3
D/C
最近一年
应用
功率
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
相似属性可替代料号
EKS20N50H
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道20A500V TO--220F
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
电压 - 集射极击穿（最大值）
500V
电流 - 集电极截止（最大值）
20A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
20A
功率 - 最大值
稳定
频率 - 跃迁
稳定
操作温度
-55TO + 175
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
NPN
FET 功能
稳定
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
500V
额定电流
20A
电压-额定
500V
配置
稳定
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
500V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
20A
漏极电流（Id） - 最大值
20A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
500V
电压
500V
电压-输出
500V
电压 - 偏移（Vt）
500V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
20A
电流 - 谷值（Iv）
20A
电流 - 峰值
20A
应用
功率
包装和发货信息
Packaging Details
Brand new original original box yuan label.
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
20X10X5 厘米
单品毛重：
0.010 公斤
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| 数量 (pieces) | 1 - 500000000 | > 500000000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
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