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STM32F405RGT6 LQFP64元件逻辑芯片集成电路编程器通用电子元件射频微波和射频识别连接器传感器
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重要属性
行业属性
型号
STM32F405RGT6
种类
IGBT晶体管
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
standard
描述
standard
原产地
original
封装/外壳
standard
类型
standard
工作环境温度
standard
系列
standard
D/C
na
应用
Power Amplifier Applications
供应类型
Other
相似属性可替代料号
standard
可参考资料
Other
品名
STM32F405RGT6
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
standard
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
standard
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
standard
IGBT 类型
standard
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
standard
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
standard
漏极电流（Id） - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
standard
电阻 - RDS（开）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移（Vt）
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 谷值（Iv）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
standard
晶体管类型
standard
standard
standard
STM32F405RGT6
model
包装和发货信息
Port
fu tian
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100 | > 100 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
定制
Customized packaging
最小起订量: 10
如需了解更多定制细节， 私信供应商
