STFW3N150功率场效应晶体管N沟道1500 V 9 O PowerMESH功率MosFet TO-3PF集成电路STFW3N150
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重要属性
行业属性
型号
STFW3N150
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
E-TAG
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
ISOWATT218FX
D/C
New
应用
Power Management, Consumer Electronics
供应类型
原厂原装, 代理
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
25A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
4V @ 5A, 25A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
10 @ 15A, 4V
功率 - 最大值
125W
频率 - 跃迁
3MHz
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N-Channel
漏源电压（Vdss）
1500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9Ohm @ 1.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
29.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
939pF @ 25V
功率-输出
63 W
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±30V
应用
Power Management, Consumer Electronics
包装和发货信息
Packaging Details
STFW3N150 Power Field-Effect Transistors N-Channel 1500 V 9 O PowerMESH Power MosFet - TO-3PF integrated circuits STFW3N150
供应能力
供应能力
1000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
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