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STFW3N150 3N150 TO-3PF MOSFET N通道1500V 2.5A库存
5.0(2 评价)2 笔订单
重要属性
行业属性
型号
STFW3N150
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
new
封装类型
-
其他属性
安装类型
-
描述
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
原产地
China
封装/外壳
-
系列
-
D/C
22 +
应用
-
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
STFW3N150
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
--
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
--
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
--
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
产品
STFW3N150
漏源极电压 (Vdss)
1500 V
系列
3N150
子类别
MOSFET
保修
1年
提前期
1-3天
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
类别
晶体管
描述
N沟道1500 v 2.5a (Tc) 63w (Tc) 通孔
价格
请联系我们
包装和发货信息
Port
shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X10X4 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
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