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SST3904T116晶体管双极 (BJT) 晶体管NPN 40 V 200 mA 300MHz 350 mW表面贴装晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
SST3904T116
种类
双极晶体管
品牌
Original Brand
封装类型
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
其他属性
安装类型
Surface mount
描述
TRANSISTORS NPN 40V 0.2A SST3
原产地
Original
封装/外壳
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
类型
NPN
工作环境温度
150°C (TJ)
系列
-
D/C
Newest
应用
通用
供应类型
零售商
相似属性可替代料号
SST3904T116DKR
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
Bipolar Transistors
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
200 mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值
350 mW
频率 - 跃迁
300MHz
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Original
电阻器 - 发射极基底（R2）
Original
FET 类型
NPN
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
original
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
original
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
original
响应频率(Hz)
300MHz
额定电流
200 mA
噪声系数
Standard
功率-输出
350 mW
电压-额定
Original
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Original
输入
Original
NTC 热敏电阻
Original
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
40 V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Original
电阻 - RDS（开）
Original
电压
40 V
电压-输出
40 V
电压 - 偏移（Vt）
40 V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Original
应用
General Purpose
晶体管类型
NPN
Prooduct Type
BJTs - Bipolar Transistors
DC Collector/Base Gain hfe Min
40
Emitter- Base Voltage VEBO
6V
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40V
Configuration
SINGLE
Mounting Style
SMD/SMT
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Standard Package
3000pcs/Reel
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
19X19X10 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
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