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SI4559ADY MOSFET N/P-CH 60V 5.3a 8SOIC笔记本电脑充电集成电路
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重要属性
行业属性
型号
SI4559ADY
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
其他
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
新的和原来的
原产地
Ascension Island
封装/外壳
8-SOIC
类型
-
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C
系列
-
D/C
最新
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
集成电路
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55°C ~ 150°C
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
T-型
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
VDRM/VRRM
600、700和800 v
IGT (Q1)
10至50 mA
Tstg Tj
原始包
包装
40至 + 150 ℃, 标准出口包装
类型
其他
付款方式
PAYPAL \ TT \ VISA \ 贸易保证
装运
DHL \ FEDEX \ UPS \ TNT \ EPACK \ 中国邮政
保修
1年
提前期
立即发货
包装和发货信息
Packaging Details
原厂包装
Port
HK.SZ
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
定制
1000
最小起订量: 100000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
