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SI1032X-T1-GE3 Mosfet晶体管n沟道20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) SMD SC-89-3 SI1032X-T1-GE3芯片集成电路Ele

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SI1032X-T1-GE3 Mosfet晶体管n沟道20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) SMD SC-89-3 SI1032X-T1-GE3芯片集成电路Ele
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重要属性

行业属性

型号
SI1032X-T1-GE3
种类
STANDARD
品牌
Bo Zinc
封装类型
STANDARD STANDARD

其他属性

安装类型
STANDARD Surface Mount
描述
Chip
原产地
China
封装/外壳
SC-89 SOT-490
类型
STANDARD
工作环境温度
STANDARD -55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Other
D/C
STANDARD
应用
STANDARD
供应类型
STANDARD
相似属性可替代料号
STANDARD
可参考资料
STANDARD
品名
STANDARD
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
STANDARD
电压 - 集射极击穿(最大值)
STANDARD
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
STANDARD
电流 - 集电极截止(最大值)
STANDARD
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
STANDARD
功率 - 最大值
300mW (Ta)
频率 - 跃迁
STANDARD
操作温度
STANDARD -55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
STANDARD Surface Mount
电阻器 - 基底(R1)
STANDARD
电阻器 - 发射极基底(R2)
STANDARD
FET 类型
STANDARD
FET 功能
碳化硅
漏源电压(Vdss)
STANDARD
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
STANDARD
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
STANDARD
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
STANDARD
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
STANDARD
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
STANDARD
响应频率(Hz)
STANDARD
额定电流
STANDARD
噪声系数
STANDARD
功率-输出
STANDARD
电压-额定
STANDARD
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
STANDARD
Vgs(最大值)
STANDARD
IGBT 类型
STANDARD
配置
STANDARD
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
STANDARD
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
STANDARD
输入
STANDARD
NTC 热敏电阻
STANDARD
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
STANDARD
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
STANDARD
漏极电流(Id) - 最大值
STANDARD
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
STANDARD
电阻 - RDS(开)
STANDARD
电压
STANDARD
电压-输出
STANDARD
电压 - 偏移(Vt)
STANDARD
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
STANDARD
电流 - 谷值(Iv)
STANDARD
电流 - 峰值
STANDARD
应用
STANDARD
晶体管类型
STANDARD
Input
STANDARD
Voltage - Output
STANDARD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
STANDARD
Place of Origin
Guangdong China
Applications
-
Brand Name
Shenzhen Leixinrui Electronics Co. Ltd.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
STANDARD

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最低起订量: 1 pieces
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