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石基超悦MOSFET 8N50NZ 8N50 n-ch 500V TO-220AB-3 FDP8N50NZ

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重要属性

行业属性

型号
FDP8N50NZ
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

安装类型
SMD/SMT, 通孔
描述
标准, MOSFET n-ch 500v TO-220AB-3
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
射频晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
D/C
-
应用
-
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET n-ch 500v TO-220AB-3
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
N通道, N通道
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250uA, 5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
735pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
Vgs(最大值)
± 25V
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
零件号
FDP8N50NZ
漏源电压
500V
电流 @ 25 °C
8A (Tc)
栅极充电 @ Vgs
18nC @ 10V
输入电容 @ Vds
5V @ 250uA
功耗 (最大)
130瓦 (Tc)
供应商设备包
TO-220-3
公司
世纪超越
付款
TT PAYAPL支付宝
装运方式
DHL EMS UPS FEDEX

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