描述
transistors fets mosfets arrays
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A, 3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
21.7nC 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
660pF 10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
34mOhm 3A, 4.5V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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Service
One Stop Bom Service
Supplier
Electronic Components
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SFor Other
Condition
Original manufacturer
Lead Free Status
RoHS Compliant
Payment
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