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射频功率晶体管高频管 MRF151G
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
MRF151G
种类
RF晶体管
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
California, United States
封装/外壳
/
D/C
21+
应用
音箱
供应类型
Other
相似属性可替代料号
/
可参考资料
数据表, 照片
品名
RF
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
/
电压 - 集射极击穿（最大值）
//
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
电流 - 集电极截止（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
功率 - 最大值
/
频率 - 跃迁
/
操作温度
/
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
/
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
/
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
/
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
/
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
/
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
/
响应频率(Hz)
/
额定电流
/
噪声系数
/
功率-输出
/
电压-额定
/
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
/
Vgs（最大值）
/
IGBT 类型
/
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
/
NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
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漏极电流（Id） - 最大值
/
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
/
电阻 - RDS（开）
/
电压
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电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
/
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
/
电流 - 谷值（Iv）
/
电流 - 峰值
/
应用
/
product name
RF Power Transistor
Description
MRF151G
Date Code
2013
Lead Free Status
RoHS Compliant / Lead free
Datasheet
Email us for details
New part Substitutes
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Delivery Time
In stock,ship within 1 day
Shipping by
DHL,UPS,Fedex,TNT or EMS
Quality Warranty
360 days
Distributor
Shenzhen Palmary Technology Co.,Ltd
包装和发货信息
Packaging Details
New and Origina factory sealed packing it will be pack in one of these packing type: Tube Tray Tape and Reel Tape and Box Bulk packing Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
Port
Shenzhen / Hongkong
供应能力
供应能力
1000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 120 | > 120 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
