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QZ n沟道MOS宽带射频功率211-07 FET MRF137
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
MRF137
种类
晶体管
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
-
描述
-
原产地
Original
封装/外壳
211-07
D/C
最新
供应类型
其他
相似属性可替代料号
作为数据表
可参考资料
数据表
品名
FET RF 65V 400MHZ 211-07
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
作为数据表
电压 - 集射极击穿（最大值）
作为数据表
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
作为数据表
电流 - 集电极截止（最大值）
作为数据表
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
作为数据表
功率 - 最大值
作为数据表
操作温度
作为数据表
安装方式
作为数据表
电阻器 - 基底（R1）
作为数据表
FET 功能
作为数据表
漏源电压（Vdss）
作为数据表
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
作为数据表
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
作为数据表
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
作为数据表
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
作为数据表
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
作为数据表
响应频率(Hz)
150MHz ~ 400MHz
额定电流
5A
功率-输出
30瓦
电压-额定
65V
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
作为数据表
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
作为数据表
漏极电流（Id） - 最大值
作为数据表
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
作为数据表
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
作为数据表
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
包装
TO-59/211-07
描述
N沟道MOS宽带射频功率场效应晶体管
存储温度范围
-65 ℃-+ 150 ℃
交货时间
1-3天内发货
类型
高频晶体管
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 500 | 501 - 3000 | > 3000 |
| 美国东部时间（天） | 4 | 5 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
图案定制
最小起订量: 100000
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供应商的产品说明
10 - 100 pieces
¥14.43
>= 101 pieces
¥12.76
数量
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