悬停鼠标可放大图片
QXW晶体管n沟道Mosfet 60V 50A TO-220(TO-220-3) MOS IC芯片50N06 FQP50N06
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
FQP50N06
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
origin
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
通孔
描述
MOSFET
原产地
origin
封装/外壳
TO-220
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55 ~ 150 ℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
Mosfet n沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
22mΩ @ 10V,25A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250 μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1540pF @ 25V
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 30000 | 30001 - 300000 | > 300000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 7 | 待定 |
定制
Graphic customization
最小起订量: 100000
Customized packaging
最小起订量: 100000
Customized logo
最小起订量: 100000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
