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QXW晶体管n沟道Mosfet 600V 10.2a至220 MOS IC芯片380N60E FCPF380N60E
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Shenzhen Qixinwei Technology Co., Ltd.
实力供应商
2 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
FCPF380N60E
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
origin
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
通孔
描述
MOSFET
原产地
origin
封装/外壳
TO-220F
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
MOSFET
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55 ~ 150 ℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
Mosfet n沟道
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
380mΩ @ 10V,5A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250 μA
展开
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数量 (pieces)
1 - 30000
30001 - 300000
> 300000
美国东部时间(天)
5
7
待定
定制
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Customized packaging
最小起订量: 100000
Graphic customization
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私信供应商
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