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      专业原装半导体晶体管IRFB4110 PBF/GPBF/QPBF MOSFET

      暂无评价
      Shenzhen Kazy Tech Co., Ltd.3 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      IRFB4110
      种类
      场效应晶体管
      品牌
      original
      封装类型
      引脚直插式封装

      其他属性

      安装类型
      通孔, 通孔
      描述
      金属氧化物半导体场效应晶体管
      原产地
      Guangdong, China
      封装/外壳
      TO220
      类型
      晶体管, MOSFET
      工作环境温度
      -55 °C ~ 175 °C
      系列
      -
      D/C
      最新
      应用
      通用
      供应类型
      原厂原装, ODM, 代理
      相似属性可替代料号
      N/A
      可参考资料
      数据表
      品名
      晶体管
      电流 - 集电极（Ic）（最大值）
      120 A
      电压 - 集射极击穿（最大值）
      标准
      不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
      2.4V @ 15V, 60A
      电流 - 集电极截止（最大值）
      N/A
      不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
      N/A
      功率 - 最大值
      N/A
      频率 - 跃迁
      N/A
      电阻器 - 基底（R1）
      N/A
      电阻器 - 发射极基底（R2）
      N/A
      FET 类型
      N/A
      FET 功能
      N/A
      漏源电压（Vdss）
      100V
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      N/A
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      标准
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      标准
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      标准
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      N/A
      响应频率(Hz)
      N/A
      额定电流
      N/A
      噪声系数
      N/A
      功率-输出
      N/A
      电压-额定
      N/A
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      N/A
      Vgs（最大值）
      N/A
      IGBT 类型
      N/A
      配置
      N/A
      不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
      N/A
      不同 Vce 时的输入电容（Cies）
      N/A
      输入
      N/A
      NTC 热敏电阻
      N/A
      电压 - 击穿（V（BR）GSS）
      N/A
      不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
      N/A
      漏极电流（Id） - 最大值
      N/A
      不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
      N/A
      电阻 - RDS（开）
      N/A
      电压
      N/A
      电压-输出
      N/A
      电压 - 偏移（Vt）
      N/A
      电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
      N/A
      电流 - 谷值（Iv）
      N/A
      电流 - 峰值
      N/A
      应用
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      包装和发货信息

      销售单位：
      单一商品
      单品包装尺寸：
      2X2X2 厘米
      单品毛重：
      0.003 公斤
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      定制

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      10 - 99 pieces
      US$2.58
      100 - 999 pieces
      US$1.29
      >= 1000 pieces
      US$0.88

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