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价格等效D772 Mosfet集成电路B772电子电路D882sb D882p晶体管D882 Smd
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重要属性
行业属性
型号
D882 B772
种类
场效应晶体管
品牌
NA
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
新原件
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOT-32-3、TO-225AA、TO-126-3
D/C
最新
应用
组件
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表
品名
功率管，原装厂家
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
365瓦
频率 - 跃迁
-
操作温度
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-，N-通道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
--
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
不扩散条约
配置
单联开关
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.8V @ 15V, 25A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
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