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电视用功率晶体管d5702 2SD5702 TO-3P 2SD5702
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重要属性
行业属性
型号
2SD5702
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3P-3全套
类型
其他
工作环境温度
150 °C (TJ), 55 150
D/C
22 +
应用
通用
供应类型
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
C1003
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
10A
电压 - 集射极击穿（最大值）
140V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
500mV @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止（最大值）
10uA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
50 @ 3A, 4V
功率 - 最大值
100瓦
频率 - 跃迁
20MHz
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N通道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V 250
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
2W
电压-额定
25-45v
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
NPN
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.3V @ 15V, 60A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
VDS = 8V, VGS = 0V f = 1.0MHz
输入
标准
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
60V
电压-输出
-0.5 ~ 30V
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
27mhz射频功率放大器应用
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
提前期
1-3个工作日
保修
180天
单价
最新单位
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
Port
HK/SZ
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
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