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PBHV8115Z 115 SOT-223 NPN 150V 1A MOSFET二极管三极管晶体管

暂无评价
Shenzhen Yimaoxun Technology Co., Ltd.3 yrsCN

重要属性

行业属性

型号
PBHV8115Z 115
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YMX
封装类型
表面贴片封装

其他属性

原产地
Guangdong, China
封装/外壳
1
应用
传声器
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, Other
相似属性可替代料号
NPN 150V 1A
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
MOS
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1
电压 - 集射极击穿（最大值）
1
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1
电流 - 集电极截止（最大值）
1
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
1
功率 - 最大值
1
频率 - 跃迁
1
电阻器 - 基底（R1）
1
电阻器 - 发射极基底（R2）
1
FET 类型
1
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
1
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1
响应频率(Hz)
1
额定电流
1
噪声系数
1
功率-输出
1
电压-额定
1
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1
Vgs（最大值）
1
IGBT 类型
1
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1
输入
1
NTC 热敏电阻
1
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
1
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1
漏极电流（Id） - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1
电阻 - RDS（开）
1
电压
1
电压-输出
1
电压 - 偏移（Vt）
1
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
1
电流 - 谷值（Iv）
1
电流 - 峰值
1
应用
1

包装和发货信息

Packaging Details
PBHV8115Z 115参数PBHV8115Z 115封装PBHV8115Z 115参数数据PBHV8115Z 115PDF数据PBHV8115Z规范的115参数PBHV8115Z 115PDF数据手册PBHV8115Z 115中文材料规范PBHV8115Z 115Pin定义PBHV8115Z 115Pin图PBHV8115Z 115pin图PBHV8115Z 115PinPBHV8115Z 115电路原理PBHV8115Z 115功能介绍PBHV8115Z 115应用电路图PBHV8115Z 115功能PBHV8115Z 115替代模型PBHV8115Z 115z应用案例PBHV8115Z 115功能介绍PBHV8115Z115角色
PBHV8115Z 115丝网印刷PBHV8115Z 115批发PBHV8115Z 115供应商PBHV8115Z 115图片PBHV8115Z 115规格
PBHV8115Z 115chip PBHV8115Z 115spot PBHV8115Z 115逻辑器件
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.1X0.1X0.1 厘米
单品毛重：
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