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P沟道20V 30A功率Mosfet晶体管晶体管Mosfet AON7407 uda2815t1s CSD25402Q3A TPN4R712MD
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
AON7407 UPA2815T1S CSD25402Q3A TPN4R712MD
种类
IGBT晶体管
品牌
HXY MOSFET
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
-
描述
P沟道20v 30A Mosfet
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
DFN3X3-8L
类型
MOSFET
系列
HXY-Mosfet
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
AON7407 UPA2815T1S CSD25402Q3A TPN4R712MD
可参考资料
数据表
品名
P沟道20v 30A Mosfet
FET 类型
Mosfet
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15mR
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
0.4-1V
Vgs（最大值）
12V
姓名
AON7407 UPA2815T1S CSD25402Q3A TPN4R712MD
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 20000
外包裝定制
最小起订量: 20000
图案定制
最小起订量: 20000
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