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原始晶体管IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A至220ab IRF540
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRF540
种类
晶体管
品牌
YMC
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
通孔
描述
晶体管MOSFET 75v 80A
原产地
original
封装/外壳
TO-220-3
类型
Mosfet单个fet
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
系列
STripFE
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
相似属性可替代料号
晶体管
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
N通道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11mOhm @ @ 40A 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ @ 250ua
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
160nC @ @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3700pF @ @ 25V
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
通用
晶体管类型
标准
质量
100% 原创100% 品牌
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X10 厘米
单品毛重：
0.002 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
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最小起订量: 100000
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