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原装新晶体管C331 C331
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重要属性
行业属性
型号
C331
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
新原件
原产地
Taiwan, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
场效应晶体管
工作环境温度
150 °C (TJ), °C
D/C
新建
应用
商业产品，计算机
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
TRANS NPN 100v 6A至-220，原装
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1.5V @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止（最大值）
700uA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
15 @ 3A, 4V
功率 - 最大值
65瓦
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
NPN
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
提前期
1-3个工作日
保修
180天
单价
最新单位
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
Port
HK/SZ
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
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