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原装新型 tiabemarking 75307D 至-251 N 通道 MOSFET 晶体管
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重要属性
行业属性
型号
HUF75307D3
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Manufacturer
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Original
封装/外壳
TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
D/C
标准
应用
标准
供应类型
原厂原装
可参考资料
其他
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道55V 15A IPAK
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
N-Channel
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
250pF @ 25V
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
类型
场效应晶体管
FET类型
N-Channel
技术
MOSFET (金属氧化物)
工作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251AA
包装和发货信息
Packaging Details
包装取决于您购买的产品的类型和数量
Port
Shenzhen/HK
供应能力
供应能力
1000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 5000
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