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原始集成电路二极管数据表Gt30f124等效30F124晶体管等效30f124晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
equivalent 30f124 transistor
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
DIP
其他属性
安装类型
Standard
描述
Standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-247
类型
other, Transistor
工作环境温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
D/C
22+
应用
Transistor/All
供应类型
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
2SD1047
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
150A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
452W
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N-Channel
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
140V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
27mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
48nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1700pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V, 10V
Vgs（最大值）
±16V
IGBT 类型
NPT
配置
三相
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.8V @ 15V, 25A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
LCD power tube,transistor
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180 Days
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Latest Unit
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Packaging Details
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单一商品
单品包装尺寸：
10.00X10.00X10.00 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
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