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      全新原装MOSFET 600V 200A IGBT等效晶体管30F124 TO-220F等效30f124晶体管600v 30a功率mosfet

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      Shenzhen Kazy Tech Co., Ltd.3 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      30F124
      种类
      FET
      品牌
      original
      封装类型
      /

      其他属性

      原产地
      Guangdong, China
      封装/外壳
      TO-220F
      D/C
      19+ 20+
      应用
      SWITCHING
      供应类型
      原厂原装, ODM, 代理
      可参考资料
      数据表, 照片
      品名
      power
      电流 - 集电极（Ic）（最大值）
      30A
      电压 - 集射极击穿（最大值）
      1200V
      不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
      1.5V @ 50mA, 500mA
      电流 - 集电极截止（最大值）
      1UA (ICBO)
      不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
      10 @ 8A, 5V
      功率 - 最大值
      2W
      频率 - 跃迁
      100MHz
      操作温度
      -40°C ~ 125°C
      安装方式
      引脚直插式封装
      电阻器 - 基底（R1）
      -
      电阻器 - 发射极基底（R2）
      -
      FET 类型
      N-Channel
      FET 功能
      标准
      漏源电压（Vdss）
      150V
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      17A (Tc)
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      2.2Ohm @ 1.3A, 10V
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      4V 250
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      118nC @ 10V
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      2320pF @ 25V
      响应频率(Hz)
      High frequency tube
      额定电流
      -
      噪声系数
      -
      功率-输出
      2W
      电压-额定
      -
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      -
      Vgs（最大值）
      ±25V
      IGBT 类型
      IGBT Trench, Trench
      配置
      单排
      不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
      2.8V @ 15V, 30A
      不同 Vce 时的输入电容（Cies）
      VDS = 8V, VGS = 0V f=1.0MHz
      输入
      standard
      NTC 热敏电阻
      -
      电压 - 击穿（V（BR）GSS）
      -
      不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
      -
      漏极电流（Id） - 最大值
      -
      不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
      -
      电阻 - RDS（开）
      -
      电压
      60V
      电压-输出
      -0.5~30V
      电压 - 偏移（Vt）
      -
      电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
      -
      电流 - 谷值（Iv）
      -
      电流 - 峰值
      -
      应用
      LCD power supply

      包装和发货信息

      Packaging Details
      New And Original Packing
      Port
      HK/SZ

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