全新原装FET MOS管n沟道10A 400V至220 IRF740 IRF740PBF
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRF740
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
/
封装类型
transistor
其他属性
安装类型
-
描述
MOSFET
原产地
China
封装/外壳
TO-220
系列
IRF740PBF
D/C
22+
应用
switch
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
IRF540N
可参考资料
数据表, 照片
品名
IRF740
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
other
电压 - 集射极击穿（最大值）
other
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
other
电流 - 集电极截止（最大值）
other
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
other
功率 - 最大值
other
频率 - 跃迁
other
操作温度
-55 + 150 C
安装方式
Inline
电阻器 - 基底（R1）
other
电阻器 - 发射极基底（R2）
other
FET 类型
transistor
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
other
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
other
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
other
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
other
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
other
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
other
响应频率(Hz)
other
额定电流
other
噪声系数
other
功率-输出
other
电压-额定
other
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
other
Vgs（最大值）
other
IGBT 类型
transistor
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
other
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
other
输入
other
NTC 热敏电阻
other
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
other
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
other
漏极电流（Id） - 最大值
other
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
other
电阻 - RDS（开）
other
电压
other
电压-输出
other
电压 - 偏移（Vt）
other
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
other
电流 - 谷值（Iv）
other
电流 - 峰值
other
应用
switch
Transistor type
/
Place of Origin
Guangdong China
Category
Transistors
Package type
Tube
Material
Silicon
Mounting Type
Inline
Price
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Product
IRF740
FET Type
N-Channel
包装和发货信息
Packaging Details
-
Port
shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
25X25X25 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
供应能力
供应能力
1000000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
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