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新发布的射频MOSFET晶体管PD55015-E电子零件供应
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
PD55015-E
种类
RF晶体管
品牌
New Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
质量不错
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SO-10
类型
MOSFETs
工作环境温度
-65 C ~ + 150 C
系列
PD55015-E
D/C
23 +
应用
通用
供应类型
其他
相似属性可替代料号
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可参考资料
其他
品名
RF MOSFET晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
PCB
晶体管类型
LDMOS FET
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 银行转账
条件
100% 原创品牌
产品类型
晶体管
装运者
DHL \ Fedex \ TNT \ 中国邮政
保修
365天
包装/案例
SO-10
填料
管托盘卷带袋
无铅状态
无铅PB
数据表
liane(@)sinoskyelectronic.com
安装样式
表面贴装
包装和发货信息
Packaging Details
原始包装: 管 \ 托盘 \ 胶带 \ 卷轴 \ 卷 \ 袋 \ 盒
Port
Shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X5 厘米
单品毛重：
0.050 公斤
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
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Samples
最大订购数量： 10 pieces
样品价格：
¥186.55/pieces
定制
LOGO定制
最小起订量: 500
外包裝定制
最小起订量: 500
图案定制
最小起订量: 500
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