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NTMTS1D6N10MCTXG Bom服务电子元件单n沟道功率MOSFET 10全新原装
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
NTMTS1D6N10MCTXG
种类
MOSFET
其他属性
原产地
Original
封装/外壳
Standard
D/C
Newest
供应类型
零售商
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表
品名
Transistor
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
36A (Ta), 273A (Tc)
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
36A (Ta), 273A (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
Standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
36A (Ta), 273A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.7mOhm @ 90A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 650uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
106 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7630 pF @ 50 V
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
IGBT 类型
Standard
配置
单排
电阻 - RDS（开）
Standard
应用
Standard
Package
Bulk
Series
Datasheet
Part Status
In Stock
Supplier Device Package
Box
Approval Agency
-
Sample
Available
Condition
New and Original
Warranty
One Year
供应能力
供应能力
10000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | 11 - 1000 | 1001 - 2000 | > 2000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 10 | 待定 |
供应商的产品说明
1 - 999 pieces
US$1.00
1000 - 1999 pieces
US$0.50
2000 - 9999 pieces
US$0.30
>= 10000 pieces
US$0.10
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