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N沟道功率晶体管收费80V 360A MOSFET晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
LR016N08S10
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Long-teK
封装类型
通行费
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
China
封装/外壳
标准
类型
MOS晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C
系列
沟槽MOSFET
D/C
标准
应用
标准
供应类型
原厂原装, 其他
品名
标准
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
操作温度
-55 ~ 175 °C
安装方式
Standards
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
MOS晶体管
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
3.3X3.3X0.28 厘米
单品毛重：
0.010 公斤
供应商的产品说明
包含运费的固定价格按计划日期交货退款保证
价格指南 （包含运费）
1 pieces
100 pieces
1000 pieces
JP¥3,081 /pieces，100 pieces起
包括：
JP¥316 产品价格
JP¥2,766 标准型 运费
物流
标准型
总运费： 100 pieces JP¥276,465
最晚交货时间 6月11日
优选型
总运费： 100 pieces JP¥668,119
最晚交货时间 6月6日
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