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N沟道功率Mosfet晶体管晶体管Mosfet
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重要属性
行业属性
型号
AONR36366 NTMFS4C06N NTTFS4985NF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
HXY MOSFET
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
N沟道30V 100A Mosfet
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
DFN3X3-8L
系列
HXY-Mosfet
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
AONR36366 NTMFS4C06N NTTFS4985NF
可参考资料
数据表
品名
N沟道30V 100A Mosfet
FET 类型
Mosfet
漏源电压（Vdss）
30伏
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.5mR
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1-2.5伏
Vgs（最大值）
20V
名称
AONR36366 NTMFS4C06N NTTFS4985NF
参数
N沟道30V 100A Mosfet
通道极性
N通道
包装类型
DFN3X3-8L
vdss最小值
30伏
身份证最大值
100A
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 20000
外包裝定制
最小起订量: 20000
图案定制
最小起订量: 20000
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