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      N 通道功率 30 V 15A 19 mOHM Mosfet FDMC8884 用于便携式电池组的晶体管

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      Shenzhen M&h Electronic Technology Co., Ltd.6 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      FDMC8884
      品牌
      Original
      封装类型
      standard

      其他属性

      原产地
      Guangdong, China
      封装/外壳
      8-PowerWDFN
      品名
      MOSFET N-CH 30V 9A POWER33
      操作温度
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      安装方式
      表面贴片封装
      FET 类型
      N-Channel
      漏源电压（Vdss）
      30V
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      9A (Ta), 15A (Tc)
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      19mOhm @ 9A, 10V
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      2.5V @ 250µA
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      14nC @ 10V
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      685pF @ 15V
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      4.5V, 10V
      Vgs（最大值）
      ±20V
      Application
      please ask salesperson
      Package
      standard
      Type
      General

      包装和发货信息

      Packaging Details
      N-Channel Power 30V 15A 19mOHM Mosfets FDMC8884 transistor for Portable Battery Packs used
      with standard packing ,good quality
      Port
      Shenzhen

      供应能力

      供应能力
      5000 件 per Day
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      交货时间

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